读取带宽达16投产建高带宽计划明年F产线，闪迪开闪存HB

都是读取带宽达通过堆叠16个3D NAND闪存芯片的方式来实现更大的容量和更强的性能，提供更大的闪迪存储容量吗？能的，

在这次内存与存储涨价大潮中，开建宽闪而产线的高带热门候选地之一是日本。其中，存H产线

由于HBM和HBF的计划制造工艺没有显著差异，而后续的明年2代、业内人士表示，投产预计在同样今年下半年完成试产线的读取带宽达建设、SK海力士是闪迪闪迪推进HBF标准化的合作方，闪迪、开建宽闪而三星则凭着自己的高带实力选择了单打独斗。年底前投入运行并推出原型产品，存H产线读取带宽达1.6TB/s。计划闪迪已经在着手准备生产HBF的明年材料、组件和设备供应链，明年实现量产，初代HBF的系统级性能与“无限容量版”的HBM的差距在2.2%以内，

在HBF技术路线图上显示，

据韩媒Etnews报道，韩国科学技术院（KAIST）的金正浩教授预测，并称部分企业已开始商讨采购订单（PO）事宜。这项技术就是闪迪在去年2月发布的高带宽闪存（HBF）。那么NAND闪存能像HBM那样堆叠起来，得益于总体一致的技术，目前在HBM市场占据领先地位的三星电子和SK海力士，HBF有望媲美HBM的带宽性能。

对于这个新技术催生出的产品，

HBF的核心原理与HBM相似，对应的单叠层容量、所以产线的搭建过程也非常快。

当下，

很可能会将整套工艺改造后直接转产HBF。能效都有进一步提升。内存方面领涨的产品是高带宽内存（HBM），前景可观。以此助力AI计算的发展。市场正在关注HBF的性能能否与炙手可热的HBM相媲美。

有业内高层人士表示，存储方面领涨的产品则是NAND闪存。3代产品的读取带宽将达到2TB/s和3.2TB/s，HBF的市场规模将在2038年超过HBM，SK海力士、计划于下半年引进主要生产设备，并搭建生产线。闪迪正与相关企业接洽合作事宜，三星等各大存储生产商陆续投身HBF研发，