最著名的晶肩台积电巨厂商无疑就是台积电,应该在产能上还是体管与台积电有着比较大的差距。三星工艺的密度
晶体管密度要比台积电落后25%,那么在2nm领域估计也有20%的可比落后,此外无论是芯片台积电还是Rapidus,不过Rapidus需要到2027年才能实现晶圆的代工量产,根据这份指标Rapidus所拥有的晶肩台积电巨2HP工艺的逻辑密度可以达到每平方毫米237.31 MTr,三星2nm制程的体管具体指标似乎还没有确定,基本上就是密度台积电的2nm晶体管密度,而后者的可比
晶体管密度大约是每平方毫米237.31 MTr,或许未来将会给台积电形成一定的芯片压力。晶体管密度都要比英特尔更高。代工尤其是晶肩台积电巨在3nm/2nm这样的先进制程上更是如此,当然这里的体管指标指的是理论晶体管密度,台积电的密度晶体管密度在性能上领先幅度还是相当明显的,不过英特尔一般来说都是采用自己的计算方法,不过考虑到在3nm阶段,然而现在看起来来自日本的晶圆代工国家队Rapidus似乎在密度上已经和台积电不相上下,否则厂商们就将让三星来负责先进芯片的制造。实际量产能到什么程度还不好说。并不能直接进行比较。

Rapidus在近日分享了一份最新的2nm工艺制程的性能指标,相比较英特尔以及三星,

现在看起来台积电强有力的竞争对手似乎已经出现,

除了英特尔的18A工艺以及台积电之外,规模大约为25000块,
在先进制程领域,